Componentes Electronicos

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By: miguelaristizaba (66 month(s) ago)

me podrias pasar ese trabajo ?

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CURSO VIRTUAL "ELECTRICISTA INDUSTRIAL"

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DEFINICIÓN. CLASIFICACIÓN. MEDIDAS E IDENTIFICACIÓN. "COMPONENTES ELECTRÓNICOS"

1. DEFINICIÓN.:

1. DEFINICIÓN. Electrónica. Estudio y aplicación del comportamiento de los electrones en diversos medios materiales y vacío, sometidos a la acción de campos Eléctricos y Magnéticos. Se suelen usar tensiones e intensidades relativamente más pequeñas que en Electricidad.

2. CLASIFICACIÓN.:

2.1. COMPONENTES ELECTRÓNICOS PASIVOS . 2.2. COMPONENTES ELECTRÓNICOS ACTIVOS . “ NO SE REALIZA UN CONTROL SOBRE EL SENTIDO DE LA CORRIENTE ELÉCTRICA” “ SÍ SE REALIZA UN CONTROL SOBRE EL SENTIDO DE LA CORRIENTE ELÉCTRICA” 2. CLASIFICACIÓN.

2. 1. COMPONENTES ELECTRÓNICOS PASIVOS.:

RESISTENCIAS. CONDENSADORES. BOBINAS. OTROS: Usados como sensores u osciladores. COMPONENTES DEPENDIENTES DE LA TEMPERATURA O LA LUZ. NTC. Coeficiente negativo de Temperatura. PTC. Coeficiente positivo de Temperatura. LDR . Resistencia dependiente de la Luz. COMPONENTES PIEZOELÉCTRICOS: RESONADORES DE CRISTAL. 2. 1. COMPONENTES ELECTRÓNICOS PASIVOS .

2. 2. COMPONENTES ELECTRÓNICOS ACTIVOS.:

(Son esencialmente los SEMICONDUCTORES). DIODOS. TRANSISTORES. RECTIFICADOR. ZENER. LED. NPN. PNP. 2. 2. COMPONENTES ELECTRÓNICOS ACTIVOS .

2. 2. COMPONENTES ELECTRÓNICOS ACTIVOS.:

CIRCUITOS INTEGRADOS. 2. 2. COMPONENTES ELECTRÓNICOS ACTIVOS . LINEALES. REGULADORES . OPERACIONALES . SEÑAL ANALÓGICA NO LINEALES. SEÑAL DIGITAL PUERTAS LÓGICAS . COMBINACIONALES . MEMORIAS . MICROPROCESADORES . MICROCONTROLADORES .

MEDIDAS E IDENTIFICACIÓN.:

MEDIDAS E IDENTIFICACIÓN. Componentes a tratar: Resistencias. Condensadores. Bobinas. Diodos. Transistores. Circuitos Integrados.

3.1. RESISTENCIAS ELÉCTRICAS.:

3.1. RESISTENCIAS ELÉCTRICAS. Su valor depende de los siguientes parámetros: Material. Longitud. Sección. Componente que ofrece una oposición al paso de la corriente eléctrica, ya sea corriente alterna o continua. Símbolo: L R =   S   Coeficiente de Resistividad. L  Longitud. S  Sección.

3.1. RESISTENCIAS ELÉCTRICAS. (Continuación):

3.1. RESISTENCIAS ELÉCTRICAS. ( Continuación) V R= —— I Relación entre la d.d.p y la Intensidad. Magnitud de medida: OHMIO. Según la Ley de Ohm , representa: Múltiplos: Ohmio.  Kilo Ohmio K  Mega Ohmio M 

3.1.1. ASOCIACIONES de RESISTENCIAS.:

SERIE. PARALELO. MIXTO. 3.1.1. ASOCIACIONES de RESISTENCIAS. R1 x R2 Re =  R1 + R2 Re = R1 + R2 Re = Hay que analizar el circuito y aplicar relaciones serie/paralelo particulares.

3.1.2. CÓDIGO DE COLORES.:

3.1.2. CÓDIGO DE COLORES. COLOR NOMBRE VALOR NEGRO 0 MARRÓN 1 ROJO 2 NARANJA 3 AMARILLO 4 VERDE 5 AZUL 6 VIOLETA 7 GRIS 8 BLANCO 9 NADA  20% PLATA  10% ORO  5% R = a b 10 c PRIMERA CIFRA SIGNIFICATIVA (a). SEGUNDA CIFRA SIGNIFICATIVA (b). FACTOR DE MULTIPLICACIÓN (C). TOLERANCIA EN % (X). En este caso R = 6.500   5%

3.1.3. CLASIFICACIÓN DE LAS RESISTENCIAS.:

3.1.3. CLASIFICACIÓN DE LAS RESISTENCIAS. Fijas Variables Metálicas. Carbón. Ajustables. Potenciómetros. Lineales Respuesta Lineal. R=Cte. No Lineales Respuesta no Lineal. R  Cte. Dependientes de la Temperatura Dependientes de la Luz. Dependientes de la Tensión. NTC y PTC LDR VDR

3.2. CONDENSADORES.:

Dispositivos utilizados para el almacenamiento de cargas eléctricas. Comportamiento diferente según el tipo de corriente Alterna o Continua. Constituido por dos placas conductoras o armaduras y entre ellas un aislante o dieléctrico . Para un condensador plano: 3.2. CONDENSADORES. S C =   d   Permitividad del Medio Dieléctrico. S  Superficie de las Armaduras. d  Separación entre Armaduras.

3.2. CONDENSADORES. (Continuación):

3.2. CONDENSADORES. (Continuación) Magnitud de medida: FARADIO (Unidad de Capacidad Eléctrica). “Sometidas las Armaduras de un CONDENSADOR a una diferencia de potencial de 1 Voltio, estas adquieren una carga de 1 Culombio” Q C =  V C  Capacidad. Q  Carga 1 Culombio = 1 Ampere/Segundo. V  d.d.p. entre Armaduras.

3.2. CONDENSADORES. (Continuación):

3.2. CONDENSADORES. (Continuación) miliFaradio  mF. 10 -3 F.  0,001F. microFaradio   F.  10 -6 F.  0,000001F. nanoFaradio  n F.  10 -9 F.  0,000000001F. picoFaradio  p F.  10 -12 F.  0,000000000001F. El FARADIO es una magnitud muy grande. Se usan Submúltiplos: TIPOS DE CONDENSADORES: NO POLARIZADOS: SI POLARIZADOS: Independiente del sentido de la corriente. Dependientes del sentido de la corriente. “Electrolíticos y Tántalo”. “Cerámicos, Poliéster, Mica, etc”.

3.2.1. ASOCIACIONES de CONDENSADORES.:

SERIE. PARALELO. MIXTO. 3.2.1. ASOCIACIONES de CONDENSADORES. C1 x C2 Ce =  C1 + C2 Ce = C1 + C2 Re = Hay que analizar el circuito y aplicar relaciones serie/paralelo particulares.

3.3. INDUCTANCIAS O BOBINAS.:

Componente formado por una serie de espiras arrolladas. Almacenan energía en forma de campo magnético. Se oponen a los cambios bruscos de corriente. A bajas frecuencias tienen una baja resistencia o inductancia. A altas frecuencias tienen una alta resistencia o inductancia. Unidad de medida el Henrio (H). Su valor depende de: Número de espiras. A mayor número de vueltas mayor inductancia. Diámetro de las espiras. A mayor diámetro mayor inductancia. Longitud del hilo y naturaleza. Tipo de material del núcleo. Aire, ferrita, etc. Se aplican como filtros de corriente alterna y transformadores. 3.3. INDUCTANCIAS O BOBINAS.

3.3.1. ASOCIACIONES de BOBINAS.:

SERIE. PARALELO. MIXTO. 3.3.1. ASOCIACIONES de BOBINAS. L1 x L2 Le =  L1 + L2 Le = L1 + L2 Le = Hay que analizar el circuito y aplicar relaciones serie/paralelo particulares.

3.4. DIODO.:

3.4. DIODO. Componente formado por la unión de dos materiales semiconductores, uno tipo N y otro tipo P . Entre ambas uniones se forma una barrera Z, o zona de agotamiento. Germanio  Z = 0,3 Voltios. Silicio  Z = 0,6 Voltios. La zona P se llama Ánodo (A). La zona N se llama Cátodo (K).

3.4.1. POLARIZACIÓN DIODO.:

3.4.1. POLARIZACIÓN DIODO. Un diodo puede funcionar de dos maneras: POLARIZACIÓN DIRECTA. Cuando la corriente que circula por este sigue la ruta de la flecha, es decir del ÁNODO al CÁTODO . Se comporta como un CONTACTO CERRADO, con una caída de tensión de 0,7 Voltios. POLARIZACIÓN INVERSA. Cuando la corriente DESEA CIRCULAR en sentido opuesto a la flecha, es decir del CÁTODO al ÁNODO . Se comporta como un CONTACTO ABIERTO, existiendo una tensión máxima o de ruptura.

3.4.2. RECTIFICADORES.:

3.4.2. RECTIFICADORES. APLICACIÓN DE LOS DIODOS COMO RECTIFICADORES. Conversión de una corriente alterna C.A. en corriente continua C.C. Según su configuración pueden ser de media onda o de onda completa. Media Onda. ( Un Diodo) Onda Completa. (Puente Diodos)

3.5. TRANSISTOR.:

3.5. TRANSISTOR. Formado por la unión de tres materiales semiconductores. Según la combinación N y P hay dos tipos de transistores. Denominándose sus terminales como Base ( B ), Emisor ( E ) y Colector ( C ). TRANSISTOR N P N . TRANSISTOR P N P . La palabra Transistor viene de Transfer Resistor o resistencia de transferencia , elemento que se comporta como una “resistencia variable” que depende de una señal eléctrica de control .

3.6. CIRCUITOS INTEGRADOS :

3.6. CIRCUITOS INTEGRADOS Operacionales. Reguladores y Estabilizadores. Lineales Manejan señales ANALÓGICAS . No Lineales Puertas lógicas. Combinacionales, etc. Manejan señales DIGITALES .

3.6.1. C.I. LINEALES.:

3.6.1. C.I. LINEALES. LOS OPERACIONALES Denominados así porque se pueden realizar varias operaciones aritméticas y de cálculo sobre voltajes analógicos. Su función básica es amplificar la diferencia entre dos voltajes de entrada.

3.6.2. C.I. NO LINEALES. PUERTAS LÓGICAS.:

3.6.2. C.I. NO LINEALES. PUERTAS LÓGICAS. Los circuitos integrados con puertas lógicas, se clasifican en dos familias: CIRCUITOS TTL (Transistor – Transistor – Logic). CIRCUITOS CMOS (Metal – Óxido). T.T.L. CMOS Tensión Alimentación +5 V. +3 a 15 V. Temperatura de trabajo 0ºC a 70ºC -40ºC a +85ºC Valor Nivel Alto De 2 a 5 V. 70% V. Alim. Valor Nivel Bajo De 0 a 0,8 V. 30% V. Alim. Tiempo Propagación por Puerta a +5V. 10 nS. 35 nS. Margen Ruido Típico 0,4 V. ~ 40% V. Alim.

3.6.3. PUERTAS LÓGICAS T.T.L.:

3.6.3. PUERTAS LÓGICAS T.T.L. Los más comunes utilizados son: INVERSORES AND NAND EXOR OR NOR

3.6.4. CIRCUITOS COMBINACIONALES.:

3.6.4. CIRCUITOS COMBINACIONALES. Los circuitos integrados combinacionales, se forman a partir de la combinación de varias puertas lógicas. Los más destacables son: REGISTROS DE DESPLAZAMIENTO. CIRCUITOS FLIP – FLOP O BÁSCULAS. Aplicables a Marcha / Paro. OSCILADORES. GENERADORES DE ONDA. TEMPORIZADORES. CIRCUITOS CONTADORES (Decimales o Binarios). CONVERSORES DE CÓDIGO. (De Binario a BCD, 7 Segmentos, etc.) CONVERSORES DE SEÑAL. (A / D – D / A).

3.6.5. MEMORIAS.:

3.6.5. MEMORIAS. Las memorias comprenden una serie de circuitos integrados, que tienen como objetivo almacenar datos. Se clasifican según los tipos: ROM Memoria de solo lectura. Grabadas en fábrica. RAM Memoria de lectura y escritura. EPROM Memoria con contenido ROM + RAM. Se borran mediante Luz Ultravioleta a través de una ventana . EEPROM Memoria con contenido ROM + RAM. Se borran eléctricamente. Reprogramables ~ 10 6 veces.

3.6.6. MICROPROCESADORES.:

3.6.6. MICROPROCESADORES. Los microprocesadores se caracterizan por tener una Unidad Cental de Proceso (UCP) y una Unidad Lógico Aritmética (ALU). UCP La Unidad de Control interpreta unas instrucciones desde un BUS de Direcciones y las ejecuta desde un BUS de Datos. ALU Encargada de realizar procesos matemáticos, como sumar Bytes, rotarlos, desplazarlos, etc. Los microprocesadores están constituidos por millares de transistores en un chip y realizan una determinada función de los computadores electrónicos digitales. Chip con 100 millones de transistores.

3.6.7. MICROCONTROLADORES.:

3.6.7. MICROCONTROLADORES. Los microcontroladores se caracterizan por tener en su interior el Microprocesador y la Memoria. Son, los más habituales, reprogramables electricamente (EEPROM). Es un computador completo, de limitadas prestaciones, que está contenido en un chip, y que se destina a gobernar una sola tarea. PERIFÉRICOS PERIFÉRICOS

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